Mop
101MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными затворами, f pranc. technologie des structures MOS à grilles auto… …
102MOP darinių su vienu polikristalinio silicio sluoksniu technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single layer polysilicon MOS process vok. MOS Einschichtpolysiliziumtechnik, f rus. технология МОП структур с одним поликремниевым слоем, f pranc. technologie MOS à une couche en polysilicium …
103MOP darinių technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS technology vok. MOS Technik, f; MOS Technologie, f rus. МОП технология, f pranc. technologie MOS, f …
104MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS structure vok. MOS Struktur, f rus. МОП структура, f pranc. structure MOS, f ryšiai: palygink – metalo oksido puslaidininkio darinys …
105MOP darinys su V grioveliais — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove MOS; V groove MOS structure vok. V Graben MOS Struktur, f rus. МОП структура с V образными канавками, f pranc. structure MOS à rainure en V, f …
106MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. composite gate MOS; composite gate MOS structure; stacked gate MOS structure vok. Mehrebenengate MOS Struktur, f rus. МОП структура с многоуровневыми затворами, f pranc. structure MOS à… …
107MOP darinys su izoliuotąja užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à grille isolée, f …
108MOP darinys su n kanalu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel MOS; n channel MOS structure; n MOS structure vok. n Kanal MOS Struktur, f rus. n канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом n типа, f pranc. structure MOS à canal n, f …
109MOP darinys su p kanalu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel MOS; p channel MOS structure vok. p Kanal MOS Struktur, f rus. p канальная МОП структура, f; МОП структура с каналом p типа, f pranc. structure MOS à canal type p, f …
110MOP darinys su paslėptuoju kanalu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit vergrabenem Kanal, f rus. МОП структура… …